2SC2712S-YLF Transistors bipolaires circuit intégré IC puce BJT SM Sig NPN Trans VCEO 50V 150mA
Résumé du produit
2SC2712S-Y,LF / Transistors bipolaires - BJT SM Sig NPN Trans VCEO -50V IC -150mA Spécifications clés Catégorie:Transistors bipolaires - BJT Technologie:Si Polarité:NPN Courant maximum du collecteur :150 mA Tension collecteur-émetteur :50 V Température de fonctionnement :-55°C à +125°C Spécification...
Propriétés de base
Nom de la marque
New & Original
Détails de l'emballage
2SC2712S-Y,LF
Propriétés commerciales
MOQ
50
Méthode de paiement
T/T, Western Union, L/C
Attributs personnalisés du produit
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2SC2712S-YLF Puce à circuits intégrés
,2SC2712S-YLF Transistors bipolaires
,Puce IC à circuit intégré 50V
Description de produit
Spécifications détaillées et caractéristiques
2SC2712S-Y,LF / Transistors bipolaires - BJT SM Sig NPN Trans VCEO -50V IC -150mA
Spécifications clés
Catégorie:Transistors bipolaires - BJT
Technologie:Si
Polarité:NPN
Courant maximum du collecteur :150 mA
Tension collecteur-émetteur :50 V
Température de fonctionnement :-55°C à +125°C
Spécifications détaillées
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Style de montage | CMS/CMS |
| Colis/Caisse | SC-59-3 |
| Configuration | Célibataire |
| Tension de base du collecteur (VCBO) | 60 V |
| Tension émetteur-base (VEBO) | 5 V |
| Tension de saturation collecteur-émetteur | 250 mV |
| Dissipation de puissance (Pd) | 150 mW |
| Gain de produit de bande passante (fT) | 80 MHz |
| Collecteur CC/Gain de base (hfe Min) | 70 |
| Gain de courant CC (hFE Max) | 700 |
Dimensions physiques
| Dimension | Valeur |
|---|---|
| Hauteur | 1,1 mm |
| Longueur | 2,9 millimètres |
| Largeur | 1,5 mm |
| Poids unitaire | 0,000282 once |
Informations Complémentaires
Marque:Toshiba
Série:2SC2712
Type de produit :BJT - Transistors bipolaires
Sous-catégorie :Transistors
Quantité par paquet d'usine :3000
Options d'emballage : Bobine Couper le ruban SourisReel
Statut RoHS :Détails disponibles
Restrictions d'expédition :Non disponible actuellement dans votre région
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