logo

Semiconductor discreto

Calidad Se aplicarán las siguientes medidas: Fábrica

Se aplicarán las siguientes medidas:

RF Diode Schottky - 1 Pair Common Cathode 4V SOT-23-3
Calidad El número de unidades de producción será el número de unidades de producción. Fábrica

El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.

RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 70V 1 A 250 mW SOT-23-3
Calidad Se aplicarán las siguientes medidas: Fábrica

Se aplicarán las siguientes medidas:

RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 75 mW SOT-23-3
Calidad El uso de la tecnología BAT17E6327HTSA Fábrica

El uso de la tecnología BAT17E6327HTSA

RF Diode Schottky - Single 4V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Calidad Se aplicarán los siguientes requisitos: Fábrica

Se aplicarán los siguientes requisitos:

RF Diode PIN - Single 200V DO-4
Calidad BA479G-TAP Fábrica

BA479G-TAP

RF Diode PIN - Single 30V 50 mA DO-35 (DO-204AH)
Calidad Bajo el nivel de los requisitos de la Directiva 2009/125/CE. Fábrica

Bajo el nivel de los requisitos de la Directiva 2009/125/CE.

RF Diode PIN - Single 50V 50 mA PG-SOD323-2
Calidad GC4944-12: el uso de la energía nuclear. Fábrica

GC4944-12: el uso de la energía nuclear.

RF Diode PIN - Single 50V
Calidad BAT505WH6327XTSA1 Fábrica

BAT505WH6327XTSA1

RF Diode Schottky - 1 Pair Common Cathode 4V 110 mA 100 mW PG-SOT323