БАП55ЛС,315
Резюме продукта
PIN диода RF - одиночные 50V 100 мамы 135 mW DFN1006D-2
Основные свойства
Название бренда
New & Original
Торговая недвижимость
Атрибуты продукта
Выделить
Дискретное полупроводниковое устройство 50 В
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыДиодыВЧ-диоды
Ток - макс:
100 мА
Статус продукта:
активный
Упаковка:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Ряд:
-
Емкость @ Вр, Ф:
0,28 пФ при 20 В, 1 МГц
Сопротивление @ if, f:
800 мОм при 100 мА, 100 МГц
Напряжение - пик обратного (макс):
50 В
Пакет устройства поставщика:
ДФН1006Д-2
Производитель:
USA Inc.
Пакет/кейс:
2-XDFN
Рассеяние власти (макс):
135 мВт
Тип диода:
PIN -код - сингл
Рабочая температура:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Базовый номер продукта:
БАП55
Характер продукции
Подробные спецификации и характеристики
PIN диода RF - одиночные 50V 100 мамы 135 mW DFN1006D-2
Вы можете также полюбить
MPL4701-206 Дискретное полупроводниковое PIN-диод RF-диод 15V с технологией микрочипов
RF Diode PIN - Single 15V 10 W 0402
HSCH-5330 Дискретный полупроводниковый 4В Шоттки с одним РЧ-контактным диодом
RF Diode Schottky - Single 4V 1 W
50mA JDP2S02AFS ((TPL3) 30V PIN однодиодный тип Высокая надежность
RF Diode PIN - Single 30V 50 mA fSC
BAR151E6327HTSA1 Дискретный полупроводник 100 В 140 мА энергосберегающий
RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 100V 140 mA 250 mW PG-SOT23
