MA4E2501L-1290
Резюме продукта
Диод Schottky RF - одиночные мамы 5V 20 обломок 50 mW
Основные свойства
Название бренда
New & Original
Торговая недвижимость
Атрибуты продукта
Выделить
эффективный дискретный полупроводник
,высокопроизводительный дискретный полупроводник
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыДиодыВЧ-диоды
Ток - макс:
20 мА
Статус продукта:
активный
Упаковка:
Поднос
Ряд:
MA4E2501 Преодолеть™
Емкость @ Вр, Ф:
0,12 пФ при 0 В, 1 МГц
Сопротивление @ if, f:
14 Ом при 10,5 мА, 1 МГц
Напряжение - пик обратного (макс):
5 В
Пакет устройства поставщика:
Чип
Производитель:
Macom Technology Solutions
Пакет/кейс:
Умирать
Рассеяние власти (макс):
50 mW
Тип диода:
Шоттки - Single
Рабочая температура:
-40°C | 150°C (ЖИВОТИКИ)
Базовый номер продукта:
MA4E2501
Характер продукции
Подробные спецификации и характеристики
Диод Schottky RF - одиночные мамы 5V 20 обломок 50 mW
Вы можете также полюбить
MPL4701-206 Дискретное полупроводниковое PIN-диод RF-диод 15V с технологией микрочипов
RF Diode PIN - Single 15V 10 W 0402
HSCH-5330 Дискретный полупроводниковый 4В Шоттки с одним РЧ-контактным диодом
RF Diode Schottky - Single 4V 1 W
50mA JDP2S02AFS ((TPL3) 30V PIN однодиодный тип Высокая надежность
RF Diode PIN - Single 30V 50 mA fSC
BAR151E6327HTSA1 Дискретный полупроводник 100 В 140 мА энергосберегающий
RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 100V 140 mA 250 mW PG-SOT23
