MA4E2508M-1112
Resumo do Produto
Diodo RF Schottky 5V 20 mA 50 mW
Propriedades Básicas
Marca
New & Original
Propriedades comerciais
Atributos personalizados do produto
Destacar
Semicondutor discreto de alto desempenho
,Alta eficiência Semicondutor discreto
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Diodos
Diodos do RF
Atual - máx:
20 MA
Status do produto:
ativo
Pacote:
Bandeja
Série:
-
Capacitância @ vr, f:
-
Resistência @ se, f:
18Ohm @ 10.5mA, 18GHz
Tensão - pico reverso (max):
5v
Pacote de dispositivo de fornecedor:
MORRER
Fabricante:
Macom Technology Solutions
Pacote/Caso:
MORRER
Dissipação de energia (MAX):
50 mW
Tipo de diodo:
Schottky
Temperatura operacional:
-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)
Número básico do produto:
MA4E2508
Descrição do produto
Especificações e características pormenorizadas
Diodo RF Schottky 5V 20 mA 50 mW
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