logo

HSMS-2855-BLKG

Podsumowanie produktu

Dioda RF Schottky - 2 Niezależny 2V SOT-143-4

Jakość HSMS-2855-BLKG fabryka
Jakość HSMS-2855-BLKG fabryka
Podstawowe właściwości
Nazwa marki
New & Original
Nieruchomości handlowe
Atrybuty niestandardowe produktu
Podkreślić

wysokiej wydajności Półprzewodnik dyskretny

,

lekki dyskretny półprzewodnik

Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Diody RF
Stan produktu:
Nieprzydatne
Pakiet:
cielsko
Szereg:
-
Pojemność @ Vr, F:
0,3 pF przy 1 V, 1 MHz
Opór @ Jeśli, F:
-
Napięcie - szczytowe odwrócenie (maks.):
2V
Pakiet urządzeń dostawcy:
SOT-143-4
Mfr:
Broadcom spółka z ograniczoną odpowiedzialnością
Opakowanie/etui:
TO-253-4, TO-253AA
Typ diody:
Schottky'ego - 2 niezależne
Temperatura pracy:
150°C (TJ)
Znaków:
urządzenia dyskretne półprzewodnikowe Dyskretne moduły półprzewodnikowe urządzenia dyskretnego zasilania
Opis produktu
Szczegółowe specyfikacje i cechy
Dioda RF Schottky - 2 Niezależny 2V SOT-143-4
Wyślij zapytanie
Może Ci się spodobać
Jakość MPL4701-206 Dyskretna półprzewodnikowa dioda PIN Diody RF 15 V z technologią Microchip fabryka

MPL4701-206 Dyskretna półprzewodnikowa dioda PIN Diody RF 15 V z technologią Microchip

RF Diode PIN - Single 15V 10 W 0402
Jakość HSCH-5330 Dyskretny półprzewodnik 4V Schottky Single Rf Pin Diode fabryka

HSCH-5330 Dyskretny półprzewodnik 4V Schottky Single Rf Pin Diode

RF Diode Schottky - Single 4V 1 W
Jakość 50mA JDP2S02AFS(TPL3) 30V PIN Typ pojedynczej diody Wysoka niezawodność fabryka

50mA JDP2S02AFS(TPL3) 30V PIN Typ pojedynczej diody Wysoka niezawodność

RF Diode PIN - Single 30V 50 mA fSC
Jakość BAR151E6327HTSA1 Półprzewodnik dyskretny 100V 140mA Oszczędność energii fabryka

BAR151E6327HTSA1 Półprzewodnik dyskretny 100V 140mA Oszczędność energii

RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 100V 140 mA 250 mW PG-SOT23