logo

BAT1705E6327HTSA1

Podsumowanie produktu

Dioda RF Schottky - 1 para wspólnej katody 4V 130 mA 150 mW PG-SOT23

Podstawowe właściwości
Nazwa marki
New & Original
Nieruchomości handlowe
Atrybuty niestandardowe produktu
Podkreślić

4v półprzewodnik dyskretny

Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Diody RF
prąd — maks:
130 mA
Stan produktu:
Nieprzydatne
Pakiet:
Taśma i rolka (tr)
Szereg:
-
Pojemność @ Vr, F:
0,75 pF przy 0 V, 1 MHz
Opór @ Jeśli, F:
15 omów przy 5 mA, 10 kHz
Napięcie - szczytowe odwrócenie (maks.):
4V
Pakiet urządzeń dostawcy:
PG-SOT23
Mfr:
Technologie Infineon
Opakowanie/etui:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rozpraszanie mocy (maks.):
150 mW
Typ diody:
Schottky-1 para wspólna katoda
Temperatura pracy:
150°C (TJ)
Podstawowy numer produktu:
BAT1705
Opis produktu
Szczegółowe specyfikacje i cechy
Dioda RF Schottky - 1 para wspólnej katody 4V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Wyślij zapytanie
Może Ci się spodobać
Jakość HSCH-5330 Dyskretny półprzewodnik 4V Schottky Single Rf Pin Diode fabryka

HSCH-5330 Dyskretny półprzewodnik 4V Schottky Single Rf Pin Diode

RF Diode Schottky - Single 4V 1 W
Jakość 50mA JDP2S02AFS(TPL3) 30V PIN Typ pojedynczej diody Wysoka niezawodność fabryka

50mA JDP2S02AFS(TPL3) 30V PIN Typ pojedynczej diody Wysoka niezawodność

RF Diode PIN - Single 30V 50 mA fSC
Jakość BAR151E6327HTSA1 Półprzewodnik dyskretny 100V 140mA Oszczędność energii fabryka

BAR151E6327HTSA1 Półprzewodnik dyskretny 100V 140mA Oszczędność energii

RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 100V 140 mA 250 mW PG-SOT23